本系统为双腔室高真空多靶磁控溅射镀膜系统，系统主要由溅射室、进出样室、真空获得及检测系统、样品台及旋转系统、磁控溅射靶、直流/射频溅射电源、加热及温控系统、供气系统、水冷系统、电气控制系统等构成。进出样室配备了一套手动水平磁力杆传输系统，可以在不破坏溅射室真空的前提下，简便地进行样品传输和提升样品的处理效益。
本套设备配置了触摸显示屏和西门子工控计算机，采用了行业最好的软件控制系统，控制软件分级权限管理，可以实现手动、半自动和自动工艺操作。溅射室共装配了6个溅射靶，靶材直径2英寸（Φ50.8mm），溅射靶可兼容射频、直流或中频溅射电源，客户可根据需要配置不同数量的500W自动匹配射频/直流溅射电源。本系统可以采用单靶独立、多靶轮流、多靶共聚焦等向上溅射沉积模式进行薄膜制备。本套设备的样品台可装载4英寸晶圆片或夹载小尺寸样品，除了靶基间距可调，样品台还可旋转、可加热、也可加偏压以进行薄膜沉积。靶基间距可通过上盖板上的伸缩波纹管作手动连续调节, 调节间距为～100mm - 150mm。样品台的转动电机可在0～30rpm内实现调节旋转。加热单元采用了石英灯在样品台背部做光加热，加热温度由室温至～800℃，控温精度±1℃。同时，样品台也可加载负偏压或者射频以进行镀前清洗或辅助沉积。
万利福的溅射镀膜设备精密可靠，性能卓越，可用于开发各种金属、非金属、金属氧化物、氮化物、合金及化合物等单层或多层功能薄膜，也可用于其它绝缘、电介质、半导体、磁性、光学等薄膜的研制。
设备特征：
-
溅射室和进出样室极限真空度优于 5×10-5Pa；
-
稳定的工作气压控制：配备可调节2000步位的插板阀，用于精确控制工作气压以获得稳定的沉积工艺；
-
灵活的靶基间距调节：通过可伸缩波纹管可手动原位调节靶基间距；
-
精密的加热系统：采用石英灯加热，配备反射罩和水冷罩的设计不但有利于增强石英灯对基片盘的加热效率，同时有效约束了热辐射对周边部件的扩展，大大提高了加热的有效性；采用耐高温和导热优良的基片盘，多圈环型槽的设计保证了基片加热过程中的快速温度平衡和均匀性；
-
射频/直流/中频/磁性和非磁性靶材兼容的溅射靶：6个2英寸适用性广范的磁控溅射靶；
-
防交叉污染设计：溅射靶均配备防交叉污染的屏蔽筒和翻盖挡板，保障了成膜质量；
-
同径阵列永磁铁设计：溅射靶采用园柱型永磁铁同径阵列设计，理想的磁力分布有效地提升靶材利用率和便易的永磁铁更换；
-
高薄膜均匀性：合理的溅射靶共聚焦设计，单靶或者多靶旋转镀膜的条件下，4寸晶圆片膜厚不均匀度优于±3.0%；
-
安全、简洁和稳定的操控系统：以计算机和PLC程序控制，具备阶段保护和次序开通控制，设有手自动控制和多种类的系统使用管理；
|
溅射靶采用同径阵列永磁铁设计
|
|
|
双腔室和3路MFC供气
|
|
射频/直流/中频/磁性和非磁性靶材兼容的溅射靶，防交叉污染的屏蔽筒和翻盖挡板
|
|
|
简洁的手/自动抽真空操作界面
|
|
简洁的手动/半自动工艺操作界面
|
技术应用：
万利福的多靶溅射设备可精确稳定地用于开发多层纳米薄膜和微量元素掺杂。
设备拥有高度重复性控制能力，通过控制反应气体的比例组合、电源功率、溅射源的档板开关等可精密控制反应溅射沉积、微量元素掺杂等工艺的开发。下图为采用万利福的多靶溅射设备而制造的氮化硅薄膜，氮化硅薄膜内交叉掺杂了稀土元素铽（Tb）和镱（Yb）：
上图来源于以下文献：
文献题目：First down converter multilayers integration in an industrial Si solar cell process
期刊信息：Progress in Photovoltaics Research and Applications 27(5):152-162 · February 2019
其他设备：
|
