设备特征：

1. 溅射室极限真空度优于 5×10^-5Pa；
2. 稳定的工作气压控制：配备可调节2000步位的插板阀，用于精确控制工作气压以获得稳定的沉积工艺；
3. 灵活的靶基间距调节：通过可伸缩波纹管可手动原位调节靶基间距；
4. 精密的加热系统：采用石英灯加热，配备反射罩和水冷罩的设计不但有利于增强石英灯对基片盘的加热效率，同时有效约束了热辐射对周边部件的扩展，大大提高了加热的有效性；采用耐高温和导热优良的基片盘，多圈环型槽的设计保证了基片加热过程中的快速温度平衡和均匀性；
5. 射频/直流/中频/磁性和非磁性靶材兼容的溅射靶：4个3英寸适用性广范的磁控溅射靶；
6. 防交叉污染设计：溅射靶均配备防交叉污染的屏蔽筒和摆动挡板，保障了成膜质量；
7. 同径阵列永磁铁设计：溅射靶采用园柱型永磁铁同径阵列设计，理想的磁力分布有效地提升靶材利用率和便易的永磁铁更换；
8. 高薄膜均匀性：合理的溅射靶共聚焦设计，单靶或者多靶旋转镀膜的条件下，6寸晶圆片膜厚不均匀度优于±3.0%；
9. 安全、简洁和稳定的操控系统：以计算机和PLC程序控制，具备阶段保护和次序开通控制，设有手自动控制和多种类的系统使用管理；

溅射靶采用同径阵列永磁铁设计

简洁的手/自动抽真空操作界面

简洁的手动/自动工艺操作界面

技术应用：

万利福的多靶溅射设备可精确稳定地用于开发多层纳米薄膜和微量元素掺杂。

设备拥有高度重复性控制能力，通过控制反应气体的比例组合、电源功率、溅射源的档板开关等可精密控制反应溅射沉积、微量元素掺杂等工艺的开发。下图为采用万利福的多靶溅射设备而制造的氮化硅薄膜，氮化硅薄膜内交叉掺杂了稀土元素铽（Tb）和镱（Yb）：

上图来源于以下文献：

文献题目：First down converter multilayers integration in an industrial Si solar cell process

期刊信息：Progress in Photovoltaics Research and Applications 27(5):152-162 · February 2019 

其他设备：

• 3靶位共聚焦磁控溅射系统PTL3S
• 5靶位共聚焦磁控溅射系统PTL5SLL
• 6靶位共聚焦磁控溅射系统PTL6S